[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管制备方法

摘要

本发明公开一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其过程包括：玻璃基板上依次制备源漏电极、氧化物有源层、沉积氧化铝、氧化硅绝缘层、栅电极。本发明在制备绝缘层之前生长一有源层保护层，以避免等离子体增强型化学气相沉积对有源层的损伤，提高了器件的性能。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，具有如下的步骤：1）在清洗过的绝缘基板（101）上采用射频磁控溅射法形成第一导电层（102），在所述第一导电层（102）上涂布光刻胶；利用第一道掩膜板，通过曝光、刻蚀以及剥离形成源级电极（102a）和漏极电极（102b）；2）在所述源级电极（102a）和漏极电极（102b）沉积氧化物有源层（103），在所述的氧化物有源层（103）上涂布光刻胶；利用第二道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀以及剥离形成有源层岛（103a）；3）在所述氧化物有源层岛（103a）上采用原子层沉积法沉积有源层保护层（104），沉积温度200到300度，厚度为5‑20nm；4）在所述的有源层保护层（104）上采用等离子体增强化学气相沉积法沉积绝缘层（105）；5）在所述的绝缘层（105）上溅射沉积第二导电层（106）；在所述第二导电层（106）上涂布光刻胶，利用第三道掩膜板，通过曝光、显影、刻蚀，形成栅极电极（106a）；6）干刻去除部分绝缘层（105）和有源层保护层（104），裸露出源级电极（102a）和漏极电极（102b），制得氧化物薄膜晶体管。