[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310057964.5 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104008967B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 程继;陈枫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105对所述多晶硅层进行CMP，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分；步骤S106对所述停止层进行CMP，去除所述停止层。该方法通过在多晶硅层内部形成停止层，使得可以利用光学端点控制的方法对多晶硅层进行CMP，因而可以很好地控制经过CMP处理后保留的多晶硅层的厚度和均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103：在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104：在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105：对所述多晶硅层进行化学机械抛光，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分，所述停止层控制最终保留的所述多晶硅层的厚度和均一性；步骤S106：对所述停止层进行化学机械抛光，去除所述停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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