[发明专利]具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法无效
| 申请号： | 201310057253.8 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137807A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张宁;刘喆;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法，其中该LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。本发明可以解决白光固态照明中用绿光光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中绿光LED输出功率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 释放 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有应力释放层的绿光LED外延结构，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一缓冲层，其制作在成核层上；一n型接触层，其制作在缓冲层上；一多量子阱有源区，其制作在n型接触层上面的一侧，另一侧形成一台面；一应力释放层，其制作在多量子阱有源区上；一电子阻挡层，其制作在应力释放层上；一p型层，其制作在电子阻挡层上；一正电极，其制作在p型层上；一负电极，其制作在接触层一侧的台面上。
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