[发明专利]氧化镉镁合金透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化镉镁合金透明导电薄膜，该薄膜采用磁控溅射技术，设计合理的溅射参数制备而成。磁控溅射的靶材为氧化镉和氧化镁，薄膜中镁的原子数百分比组分含量值x为：0≤x＜0.5；薄膜厚度为：170—290nm。本发明研究认为，增大薄膜中镁的含量，可实现薄膜在短波范围的截止波长继续向短波方向的拓展，从而拓宽其光学带隙，有效提高短波范围的光透过性能，使其在太阳辐射波长375—1800nm之间，光谱透过率达到75%以上，而镁组分含量与靶材溅射功率、靶材和基片之间的距离、及与薄膜沉积时间长短相关。本发明以磁控溅射方法调节薄膜中Mg的含量，操作简便，只要控制好设计参数，便能工业化规范生产，使之在太阳能电池、光电探测等光电功能材料和器件领域中获得良好的应用前景。

主权项

氧化镉镁合金透明导电薄膜，采用磁控溅射技术制备而成，其特征在于：所述磁控溅射的靶材为氧化镉（CdO）和氧化镁（MgO）；所述薄膜接受太阳光的透过特性，与磁控溅射靶材氧化镁含量大小相关；提高薄膜中镁含量，氧化镉镁合金的能带间隙增大，将相应地使氧化镉镁合金（Cd1‑xMgxO）薄膜光学吸收边向短波方向移动，所述薄膜中镁（Mg）组分（原子数百分比）含量值x范围为：0≤x＜0.5；所述薄膜厚度范围为：170—290 nm。