[发明专利]具有界面层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310051354.4 | 申请日： | 2013-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103855213B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;蔡济印;吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有界面层的半导体器件及其制造方法。用于半导体器件的示例性结构包括Si1‑xGex衬底，其中，x大于0.4；Si层，位于Si1‑xGex衬底上方；以及栅极结构，设置在Si层上方，栅极结构包括介电部分和设置在介电部分上方的电极部分；其中，介电部分包括Si层上的III‑V材料层和与电极部分相邻的高k介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：Si1‑xGex衬底，其中，x大于0.4；Si层，位于所述Si1‑xGex衬底上方；源极/漏极区域，形成在所述Si1‑xGex衬底的有源区域中，而不形成在所述Si层中；以及栅极结构，设置在所述Si层上方，其中，所述栅极结构包括介电部分和设置在所述介电部分上方的电极部分；其中，所述介电部分包括所述Si层上的III‑V材料的层和与所述电极部分相邻的高k介电层，所述III‑V材料的层位于所述高k介电层和所述Si层之间，所述Si层位于所述III‑V材料的层和所述Si1‑xGex衬底之间；其中，包括氧和所述III‑V材料的非晶层形成在所述III‑V材料的层和所述高k介电层之间。
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