[发明专利]鳍式场效应晶体管的栅极堆叠件有效
| 申请号： | 201310051230.6 | 申请日： | 2013-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103367442A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本说明书涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件。FinFET的示例性结构包括包含第一表面的衬底以及覆盖第一表面的一部分的绝缘区，其中绝缘区的顶部限定第二表面。FinFET还包括被设置成穿过绝缘区中的开口至第二表面之上的第一高度的鳍，其中鳍的上部的底部宽于上部的顶部，其中上部具有第一楔形侧壁和第三表面。FinFET还包括覆盖第一楔形侧壁和第三表面的栅极电介质以及横跨在栅极电介质上方的导电栅极带，其中导电栅极带沿着鳍的纵向方向具有第二楔形侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，包含第一表面；绝缘区，覆盖所述第一表面的一部分，其中，所述绝缘区的顶部限定第二表面；鳍，被设置成穿过所述绝缘区中的开口至所述第二表面之上的第一高度，其中，所述鳍的上部的底部宽于所述上部的顶部，其中，所述上部具有第一楔形侧壁和第三表面；栅极电介质，覆盖所述第一楔形侧壁和所述第三表面；以及导电栅极带，横跨在所述栅极电介质上方，其中，所述导电栅极带沿着所述鳍的纵向方向具有第二楔形侧壁。
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