[发明专利]可变电阻存储器件及其制造和驱动方法有效
申请号: | 201310051163.8 | 申请日: | 2013-02-16 |
公开(公告)号: | CN103247655B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 朴南均;都甲锡 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;G11C13/00;H01L27/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造和驱动方法,所述可变电阻存储器件包括多个存储器单元,所述多个存储器单元沿着第一方向以及与第一方向不同的第二方向布置,多个存储器单元的每个包括可变电阻器以及与可变电阻器串联连接的选择器件;公共布线,所述公共布线与多个存储器单元的一端电连接,并且施加公共参考电压;多个布线,所述多个布线分别与多个存储器单元中的沿着第一方向布置的多个存储器单元的另一端电连接;以及多个选择线,所述多个选择线分别与多个存储器单元的选择器件连接,并且连同多个布线一起来选择多个存储器单元中的任何一个。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种可变电阻存储器件,包括:多个存储器单元,所述多个存储器单元沿着第一方向以及与所述第一方向不同的第二方向布置,所述多个存储器单元中的每个包括可变电阻器以及与所述可变电阻器串联连接的选择器件;第一布线,所述第一布线与所述多个存储器单元之中的沿着所述第一方向相邻的存储器单元的一端电连接;第二布线,所述第二布线与所述多个存储器单元之中的沿着所述第二方向相邻的存储器单元的另一端电连接;以及公共选择线,所述公共选择线与所述多个存储器单元的选择器件耦接,并且施加等电位的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310051163.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:软管夹
- 下一篇:一种PCB分段金手指制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的