[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：存储块，所述存储块被配置成包括与字线耦合的存储器单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成对与从字线中选中的字线耦合的存储器单元执行第一编程操作、编程验证操作和第二编程验证操作，并且在第一编程操作和第二编程操作中将具有不同电平的编程允许电压提供至位于编程禁止单元之间的编程允许单元的选中的位线。

主权项

1.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：操作第一编程循环，所述第一编程循环包括：执行第一编程操作，所述第一编程操作包括：将编程禁止电压提供至编程禁止单元的未选中的位线，所述编程禁止单元是与选中的字线耦合的未选中的存储器单元，将第一编程允许电压提供至编程允许单元的选中的位线，所述编程允许单元是与所述选中的字线耦合的选中的存储器单元，以及将编程电压提供至所述选中的字线，以及对所述存储器单元执行编程验证操作；以及操作第二编程循环，所述第二编程循环包括：执行第二编程操作，所述第二编程操作包括：将所述编程禁止电压提供至所述未选中的位线，将第二编程允许电压提供至所述选中的位线，将所述编程电压提供至所述选中的字线，以及执行所述编程验证，其中，所述第二编程允许电压是所述第一编程允许电压与所述编程禁止电压之间的电压，其中，在所述第二编程循环重复地执行了允许的次数之后，再次执行所述第一编程循环，其中，基于提供至所述选中的字线的编程电压，所述第一编程允许电压和所述第二编程允许电压中的一种被提供至所述选中的位线，以及其中，每当重复所述第一编程循环时，所述编程电压增加第一步进电压，每当重复所述第二编程循环时，所述编程电压增加第二步进电压，所述第二步进电压比所述第一步进电压高。