[发明专利]电力半导体元件无效

专利信息
申请号: 201310049194.X 申请日: 2013-02-07
公开(公告)号: CN103681851A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 斎藤涉 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供低损耗、低噪声、低导通电阻的电力半导体元件。根据实施方式,提供具备层叠体、栅电极以及第一~第三电极的电力半导体元件。层叠体包括第一~第五半导体层。第二半导体层设置在第一半导体层之上。第三半导体层在第二半导体层上设置为多个,在与第一半导体层和第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向上排列。第四半导体层设置在第二半导体层之上。第五半导体层与第二半导体层分离而设置在第四半导体层。栅电极在层叠体上设置为多个。第一电极设置在多个栅电极之下。第二电极与第一半导体层导通。第三电极与第五半导体层导通。多个第一电极中的任意个第一电极与栅电极导通。多个第一电极中的其他的任意个第一电极与第三电极导通。
搜索关键词: 电力 半导体 元件
【主权项】:
一种电力半导体元件,具备:层叠体,该层叠体包括:第一半导体层;第一导电型的第二半导体层,设置在上述第一半导体层之上;第二导电型的多个第三半导体层,设置在上述第二半导体层,沿着与上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向以规定间隔排列;第二导电型的第四半导体层,设置在上述第二半导体层之上;以及第一导电型的第五半导体层,设置在上述第四半导体层,在上述层叠方向上与上述第二半导体层分离;多个栅电极,隔着绝缘膜设置在上述层叠体,沿着与上述层叠方向以及上述第一方向垂直的第二方向排列,沿着上述层叠方向延伸,具有比上述第二半导体层靠上的上端和比上述第四半导体层靠下的下端,上述栅电极的至少一部分配置在相邻的2个上述第三半导体层之间;多个第一电极,隔着绝缘膜设置在上述多个栅电极的各个栅电极之下,具有比上述第一半导体层靠上的下端;第二电极,与上述第一半导体层电连接;以及第三电极,与上述第五半导体层电连接,上述多个第一电极中的任意个第一电极与上述栅电极电连接,上述多个第一电极中的其他的任意个第一电极与上述第三电极电连接,与上述栅电极电连接的上述多个第一电极和与上述第三电极电连接的上述多个第一电极,沿着上述第二方向交替地配置,相邻的2个上述第三半导体层的上述第一方向上的节距,比相邻的2个上述第一电极的上述第二方向上的节距大。
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