[发明专利]用于电测量基于MEMS的显示器的电驱动参数的测量和设备无效
申请号: | 201310048762.4 | 申请日: | 2009-02-06 |
公开(公告)号: | CN103150985A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 阿洛科·戈维尔;科斯塔丁·乔尔杰夫;艾伦·刘易斯;威廉默斯·约翰尼斯·罗伯特斯·范利尔 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;B81C99/00;G02B26/00;G09G3/34;G09G5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示用以测量MEMS装置的阈值电压的方法和装置。所述阈值电压是基于使所述装置改变状态的测试电压。通过监视用于驱动所述测试电压的经积分的电流或电荷来检测所述装置的状态改变。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 基于 mems 显示器 驱动 参数 设备 | ||
【主权项】:
一种测量微机电装置的裕度的方法,所述装置包含元件阵列,所述方法包括:将所述阵列的元件初始化到第一状态;将正保持电压施加到所述阵列的第一部分;将负保持电压施加到所述阵列的第二部分;在施加所述正保持电压和所述负保持电压的同时,将测试脉冲施加到所述阵列的所述元件;将负电压转变施加到所述阵列的所述第一部分以将所述负保持电压施加到所述阵列的所述第一部分;将正电压转变施加到所述阵列的所述第二部分以将所述正保持电压施加到所述阵列的所述第二部分;感测由所述正电压转变诱发的电荷与由所述负电压转变诱发的电荷之间的差以确定所述测试脉冲是否改变所述阵列的一个或一个以上元件的所述状态;以及基于所述测试脉冲是否改变所述阵列的一个或一个以上元件的所述状态来确定所述裕度。
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