[发明专利]平面磁控ECR-PECVD等离子源装置有效
申请号: | 201310047937.X | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103114278A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 夏世伟;吴长川 | 申请(专利权)人: | 上海君威新能源装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200941 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种平面磁控ECR-PECVD等离子源装置,包括真空腔室、微波谐振腔、微波天线、微波波导以及微波发生器,其中,所述微波谐振腔设置在真空腔室的内部,所述微波天线装配在微波谐振腔内,并轴向贯穿微波谐振腔内,所述真空腔室外侧的两端分别设有微波发生器,所述两个微波发生器分别通过微波波导与微波天线的两端相连接,所述真空腔室与微波谐振腔之间设有平面磁控板,待镀膜样品设置在微波谐振腔和平面磁控板之间;所述微波谐振腔内设有若干气体喷射管。本发明的平面磁控板使用硬磁材料产生平面磁场,起到增强反应气体的电离效率,提高镀膜均匀性的作用,兼具高镀膜速率、高膜层均匀性的优点,适用于各种薄膜的镀制。 | ||
搜索关键词: | 平面 ecr pecvd 离子源 装置 | ||
【主权项】:
一种平面磁控ECR‑PECVD等离子源装置,其特征在于,包括真空腔室、微波谐振腔、微波天线、微波波导以及微波发生器,其中,所述微波谐振腔设置在真空腔室的内部;所述微波天线装配在微波谐振腔内,并轴向贯穿整个微波谐振腔;所述真空腔室外侧的靠近两端部处分别设有微波发生器,所述两个微波发生器分别通过微波波导与微波天线的两端相连接;所述真空腔室与微波谐振腔之间设有平面磁控板,待镀膜样品设置在微波谐振腔和平面磁控板之间;所述微波谐振腔内还设有若干气体喷射管。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的