[发明专利]InP单晶片双面抛光方法及装置有效
| 申请号： | 201310046388.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103100965A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林健;赵权;杨洪星;王云彪;武永超;刘春香;张伟才;吕菲;佟丽英 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张蕾 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP单晶片双面抛光方法，包括将InP单晶片在双面抛光机上依次进行粗抛光、中抛光和精抛光；粗抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和二氯异氰尿酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:二氯异氰尿酸钠的体积比为1:10:(1.0～1.8)，所述粗抛光液的PH值是10-11；中抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和次氯酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:次氯酸钠的体积比为1:15:(0.1～0.5)，所述中抛光液的PH值是8-9；精抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液和去离子水，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水的体积比为1:（40～60），所述精抛光液的PH值是7-8。通过采用本发明方法抛光后得到的InP单晶片表面质量一致，无桔皮、无划伤并且无雾。 | ||
| 搜索关键词： | inp 晶片 双面 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种InP单晶片双面抛光方法，其特征在于，包括：将InP单晶片在双面抛光机上依次进行粗抛光、中抛光和精抛光；粗抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和二氯异氰尿酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:二氯异氰尿酸钠的体积比为1:10:(1.0～1.8)，所述粗抛光液的PH值是10‑11，所述粗抛光的压力为(150～170)g/cm2，所述粗抛光的抛光垫为聚氨脂类结构的抛光垫；中抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和次氯酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:次氯酸钠的体积比为1:15:(0.1～0.5)，所述中抛光液的PH值是8‑9，所述中抛光的压力为(100～120)g/cm2，所述中抛光的抛光垫为绒毛结构类的抛光垫；精抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液和去离子水，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水的体积比为1:（40～60），所述精抛光液的PH值是7‑8，所述精抛光的压力为(80～100)g/cm2，所述精抛光的抛光垫为绒毛结构类的抛光垫。
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