[发明专利]一种均相阴离子交换膜的制造方法有效
| 申请号： | 201310044781.X | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103965497A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李进;刘中清;刘颐静;史振宇;张旭旺;王志刚 | 申请（专利权）人： | 大连多相触媒有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J5/22;C08L23/06;C08L53/02;B01D67/00;B01D69/10;B01D71/80 |
| 代理公司： | 北京万科园知识产权代理有限责任公司 11230 | 代理人： | 刘俊玲;张亚军 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市沙*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种均相阴离子交换膜的制造方法，它包括以下步骤：(1)、以低密度聚乙烯和SBS弹性体二元共混合金为淋膜材料在支撑材料表面淋膜，得到基膜；(2)、将步骤(1)制得的基膜先进行氯甲基化，得到氯甲基膜，接着将氯甲基膜进行季铵化，得阴离子交换膜。本发明的方法工艺简单，流程短，三废少，制备的阴离子交换膜具有离子交换容量高、面电阻低、膜的厚度薄、强度高、尺寸稳定性好、变形率小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均相 阴离子 交换 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种均相阴离子交换膜的制造方法，它包括以下步骤：(1)、以低密度聚乙烯和SBS弹性体二元共混合金为淋膜材料在支撑材料表面淋膜，得到基膜；(2)、将步骤(1)制得的基膜先进行氯甲基化，得到氯甲基膜，接着将氯甲基膜进行季铵化，得阴离子交换膜。
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