[发明专利]谐振腔式的双MOS光电探测器

摘要

本发明公开了一种谐振腔式的双MOS光电探测器，主要解决了光电探测器响应速度低的问题。该光电探测器自上而下依次包括：上布拉格反射镜（1），上透明导体氧化物层（2），上二氧化硅层（3），硅本征层（4），下二氧化硅层（5），下透明导体氧化物层（6），下布拉格反射镜（7）。硅本征层（4）上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的N型重掺杂区。本发明具有高响应速度，低功耗，高量子效率的特点。可以用作光互连，光通信领域的光电探测器。

主权项

一种谐振腔式的双MOS光电探测器，其特征在于自上而下依次包括上布拉格反射镜（1），上透明导体氧化物层（2），上二氧化硅层（3），硅本征层（4），下二氧化硅层（5），下透明导体氧化物层（6）和下布拉格反射镜（7），该硅本征层(4)的上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm‑3的P型重掺杂区，下表面两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm‑3的N型重掺杂区；所述的上透明导体氧化物层（2）、上二氧化硅层（3）、硅本征层（4）和P型重掺杂区组成PMOS结构；所述的下透明导体氧化物层（6）、下二氧化硅层（5）、硅本征层（4）和N型重掺杂区组成NMOS结构；所述的上布拉格反射镜（1）与所述的下布拉格反射镜（7）组成谐振腔。