[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310043672.6 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103594474A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李闰敬;安正烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体存储器器件及其制造方法。所述器件包括：半导体衬底，其中交替限定了有源区和隔离区，且在与所述有源区和所述隔离区相交的方向上限定了支持区；第一沟槽，形成在所述隔离区中；第二沟槽，形成在所述有源区和所述隔离区中的第一沟槽之下；以及支持层，形成在所述支持区中的第一沟槽之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器器件，包括：半导体衬底，其中交替限定了有源区和隔离区，且在与所述有源区和所述隔离区相交的方向上限定了支持区；第一沟槽，形成在所述隔离区中；第二沟槽，形成在所述有源区和所述隔离区中的第一沟槽之下；以及支持层，形成在所述支持区中的第一沟槽之下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310043672.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：动力型软包装锂离子蓄电池
- 下一篇：一种低烟阻燃电力电缆
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
