[发明专利]一种单晶石墨烯的制备方法无效
| 申请号： | 201310042925.8 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103074678A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;李晓强 | 申请（专利权）人： | 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B33/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的单晶石墨烯的制备方法，步骤包括：使用微机械力方法，将石墨用胶带撕裂出单晶石墨烯黏贴到面积在1cm2以上的基板上，作为单晶石墨烯籽晶层；在单晶石墨烯籽晶层上镀一层金属层；再在金属层上覆盖碳源，经退火，冷却；将金属层和碳源去除，即得到生长在基体上的单晶石墨烯层。本发明方法制备温度低，获得的单晶石墨烯的尺寸可达厘米量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶石 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶石墨烯的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）使用微机械力方法，将石墨用胶带撕裂出单晶石墨烯黏贴到面积在1cm2以上的基板上，作为单晶石墨烯籽晶层；2）在单晶石墨烯籽晶层上镀一层厚度在20纳米到10微米的金属Ni、Cu或Cu‑Ni合金层；3）在金属Ni、Cu或Cu‑Ni合金层上覆盖碳源，放入退火炉加热至200‑400℃，炉内压力维持在1.01×105Pa，在氩气、氮气、氦气或氖气气氛下，退火100秒～1小时，冷却至室温，然后浸入FeCl3溶液中，腐蚀去除金属层和碳源，得到面积在1cm2以上的生长在基板上的单晶石墨烯。
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