[发明专利]避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的方法和结构有效
申请号: | 201310041876.6 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103137730A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 魏慎金;陈小梅 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的方法,用于光伏系统,光伏系统包括由晶体硅光伏组件组成的光伏组件阵列、汇流箱和逆变器,每个光伏组件阵列均与一个汇流箱连接,各汇流箱的正极输出端并接后与逆变器的正极输入端连接,各汇流箱的负极输出端并接后与逆变器的负极输入端连接,当光伏系统有电输出时,将光伏系统的正、负极开路;当光伏系统无电输出时,将光伏系统的正、负极短接。还涉及一种避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的结构,在逆变器的正负极输入端之间或至少一个汇流箱的正负极输出端之间设置开关控制器。本发明简单易实现,成本低,可以有效避免和消除PID现象,提高光伏系统的利用率和光伏电站的安全。 | ||
搜索关键词: | 避免 降低 晶体 硅光伏 组件 电位 诱发 衰减 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的方法,用于光伏系统,所述光伏系统包括由所述晶体硅光伏组件组成的光伏组件阵列、汇流箱和逆变器,每个光伏组件阵列均与一个汇流箱连接,所述各汇流箱的正极输出端并接后与所述逆变器的正极输入端连接,各汇流箱的负极输出端并接后与所述逆变器的负极输入端连接,其特征在于:当光伏系统正常工作时,将所述光伏系统的正、负极开路;需对光伏组件进行功率衰减恢复时,将所述光伏系统的正、负极短接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的