[发明专利]用于3D抗蚀剂轮廓模拟的光刻模型有效
| 申请号： | 201310038899.1 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103246173A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36;G03F1/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于模拟由入射辐射造成的形成在衬底上的抗蚀剂层中的辐射的三维空间强度分布的方法，所述方法包括步骤：计算抗蚀剂层中的前向传播辐射和抗蚀剂层中的后向传播辐射的非相干之和；计算抗蚀剂层中的前向传播辐射与抗蚀剂层中的后向传播辐射的干涉；和根据所述非相干之和和所述干涉计算辐射的三维空间强度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抗蚀剂 轮廓 模拟 光刻 模型 | ||
【主权项】：
一种用于模拟由入射辐射造成的形成在衬底上的抗蚀剂层中的辐射的三维空间强度分布的方法，所述方法包括步骤：计算抗蚀剂层中的前向传播辐射和抗蚀剂层中的后向传播辐射的非相干之和；计算抗蚀剂层中的前向传播辐射与抗蚀剂层中的后向传播辐射的干涉；和根据所述非相干之和和所述干涉计算辐射的三维空间强度分布。
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