[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310037707.5 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972278B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底及栅极结构，其中，该栅极结构具有功函数变化层，上述功函数变化层包括第一功函数材料部，横向间隔地设置在所述功函数变化层中；以及设置在上述横向间隔设置的第一功函数材料部之间的第二功函数材料部。通过不同功函数材料或者不同沉积厚度的调控，使得栅极结构的中心区域与边缘区域具有不同的功函数，进而使得半导体器件中的栅极具有足够的电控能力，改善半导体器件的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，在衬底上依次沉积栅介电层、第一功函数材料层、多晶硅层及硬掩膜层；步骤S2，图案化所述硬掩膜层，并在图案化的硬掩膜侧壁上形成伪侧壁层；步骤S3，刻蚀形成伪栅结构，并在所述伪栅结构的侧壁上形成侧壁层；步骤S4，沉积层间绝缘介电层，并进行平坦化处理；步骤S5，去除所述伪栅中的硬掩膜层、部分多晶硅层以及第一功函数材料层；步骤S6，回刻所述层间绝缘介电层，并去除所述伪侧壁层及剩余多晶硅层，形成第一功函数材料部；步骤S7，在所述第一功函数材料部之间沉积第二功函数材料，形成第二功函数材料部；以及步骤S8，沉积栅电极材料，形成所述半导体器件。
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