[发明专利]一种具有反射镜结构的发光二极管无效
| 申请号： | 201310037425.5 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103078024A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 项艺;王汉华;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有反射镜结构的发光二极管，一种具有反射镜结构的发光二极管，从下至上依次包括金属层、DBR层分布式布拉格反射镜、衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述金属层和所述DBR层分布式布拉格反射镜之间插入有一层用于增加DBR层和金属层的粘附性的过渡层，且所述金属层、所述过渡层和所述DBR层构成所述发光二极管的反射镜结构。本发明的发光二极管，其采用Ag金属层反射层，不需要Au阻挡，节省Au的用量；同时Ag的反射率比Al高，因此有利于提高反射率；同时，由于插入了过渡层，解决了Ag和DBR层粘附性不好、易脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有反射镜结构的发光二极管，从下至上依次包括金属层、DBR层、衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述金属层和所述DBR层之间插入有一层用于增加DBR层和金属层的粘附性的过渡层，且所述金属层、所述过渡层和所述DBR层构成所述发光二极管的反射镜结构。
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