[发明专利]一种双反射发光二极管无效

专利信息
申请号: 201310037317.8 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103078023A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 申请(专利权)人: 武汉迪源光电科技有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/14
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 430205 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种发光二极管,包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层,从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。本发明利用光在两个反射面之间不断反射以及散射,增加了发光二极管的出光效率。
搜索关键词: 一种 反射 发光二极管
【主权项】:
一种发光二极管,包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层,其特征在于:从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。
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