[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，提高了包含IGBT的半导体器件的生产成品率。由绝缘膜规定且形成有IGBT元件的激活区域(AC)在俯视观察时具有隔开固定间隔地沿第1方向延伸的第1长边(L1)和第2长边(L2)。而且，在第1长边(L1)及第2长边(L2)的一方的端部，具有与第1长边(L1)呈第1角度(θ1)的第1短边(S1)、和与第2长边(L2)呈第2角度(θ2)的第2短边(S2)，在第1长边(L1)及第2长边(L2)的另一方的端部，具有与第1长边(L1)呈第3角度(θ3)的第3短边(S3)、和与第2长边(L2)呈第4角度(θ4)的第4短边(S4)。第1角度(θ1)、第2角度(θ2)、第3角度(θ3)、以及第4角度(θ4)在大于90度小于180度的范围内。

主权项

一种包含IGBT的半导体器件，具有：(a)具有第1导电型的所述IGBT的集电极层；(b)形成在所述集电极层上的、具有与所述第1导电型不同的第2导电型的所述IGBT的缓冲层；(c)形成在所述缓冲层上的、具有所述第2导电型的所述IGBT的基极层；(d)形成在所述基极层上的、具有第1厚度的多个埋入绝缘膜；(e)分别形成在所述多个埋入绝缘膜上的开口部；(f)形成在所述多个埋入绝缘膜的周围、具有比所述第1厚度厚的第2厚度、用于规定多个激活区域的绝缘膜；(g)在所述多个激活区域，分别形成在所述多个埋入绝缘膜上的、具有所述第2导电型的表面半导体层；(h)形成在所述表面半导体层内的、具有所述第1导电型的所述IGBT的沟道层；(i)在所述表面半导体层内以与所述沟道层接触的方式形成、且浓度比所述沟道层高的具有所述第1导电型的所述IGBT的发射极层；(j)形成在所述表面半导体层内的、具有所述第2导电型的所述IGBT的源极层；(k)选择性地形成在所述表面半导体层的表面的一部分上的所述IGBT的栅极绝缘膜；(l)形成在所述栅极绝缘膜上的所述IGBT的栅电极；(m)形成在所述集电极层的背面、且与所述集电极层电连接的所述IGBT的集电极；和(n)形成在所述发射极层上及所述源极层上、且与所述发射极层及所述源极层电连接的所述IGBT的源电极，所述激活区域具有：在俯视观察时沿第1方向延伸的第1长边；在与所述第1方向正交的第2方向与所述第1长边隔开固定间隔地设 置并沿所述第1方向延伸的第2长边，在所述第1长边及所述第2长边的一方的端部，具有与所述第1长边呈第1角度的第1短边、和与所述第2长边呈第2角度的第2短边，在所述第1长边及所述第2长边的另一方的端部，具有与所述第1长边呈第3角度的第3短边、和与所述第2长边呈第4角度的第4短边，所述第1角度、所述第2角度、所述第3角度、以及所述第4角度在大于90度小于180度的范围内。