[发明专利]一种可控形貌的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310035907.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103117219A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 盛建明;江成龙;涂亮亮;石剑舫 | 申请（专利权）人： | 常州同泰光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进区高新技术产业开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可控形貌的刻蚀方法，利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀方式对材料进行刻蚀，通过多步刻蚀辅以可变的ICP源功率、偏压源功率实现被刻蚀材料形貌可控。本发明介绍的方法不需要改变阻挡层性质，而是利用ICP系统本身性能，比现有的采用一步、调整阻挡层刻蚀易于操作，效率更高，有望在生产中成为种多样化形貌刻蚀的技术手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 形貌 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种可控形貌的刻蚀方法，其特征在于：将具有光阻图案的材料送入ICP刻蚀机台进行图案化刻蚀，调整ICP源功率以及偏压源功率实现多步刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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