[发明专利]一种太阳电池背面处理方法有效
| 申请号： | 201310030372.4 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103094420A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赖键均;艾斌;贾晓洁;许欣翔;杨江海 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/35;C30B33/10 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东省广州市海珠区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池背面处理方法，包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火；5）采用PECVD在硅片上表面沉积氮化硅薄膜；以及6）在硅片上下表面采用丝网印刷方式进行表面金属化，经高温烧结后完成电池的制备。本发明的方法生产成本低，易实现工业化大批量生产，与现有常规生产工艺兼容、操作简单、效率提升空间大，能有效提高太阳电池的短路电流和开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 背面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池背面处理方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火处理；5）采用PECVD在硅片上表面沉积氮化硅薄膜；以及6）在硅片上下表面采用丝网印刷方式进行表面金属化，经高温烧结后完成电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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