[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201310028721.9 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103972344A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄吉丰;杜升翰 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括一硅基板、一氮化铝层以及多组渐变式应力缓冲层。氮化铝层配置在硅基板上。渐变式应力缓冲层配置在氮化铝层上。每一渐变式应力缓冲层包括依序堆叠的一渐变层及一过渡层。渐变层的化学通式为Al1-xGaxN，其中x值从邻近硅基板的一侧往远离硅基板的一侧逐渐递增，且0≤x≤1。每一过渡层与同组中的渐变层中最远离硅基板的一侧表面具有相同的化学通式。最远离硅基板的这组渐变式应力缓冲层中的过渡层的化学通式为GaN。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：一硅基板；一氮化铝层，配置在该硅基板上；以及多组渐变式应力缓冲层，配置在该氮化铝层上，其中各组渐变式应力缓冲层包括依序堆叠的一渐变层及一过渡层，该些渐变层的化学通式为Al1‑xGaxN，其中x值从邻近该硅基板的一侧往远离该硅基板的一侧逐渐递增，且0≤x≤1，而各该过渡层与同组中的该渐变层中最远离该硅基板的一侧表面具有相同的化学通式，且最远离该硅基板的该组渐变式应力缓冲层中的该过渡层的化学通式为GaN。
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