[发明专利]一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201310025135.9 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103138702A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈希明;李福龙;薛玉明;朱宇清;张倩;阴聚乾;郭燕;孙连婕 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/25;H03H9/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25um，a-AlN薄膜厚度为300-500nm，c-BN薄膜的厚度为300-500nm，IDT为厚度100nm的Al膜。本发明的优点是：该多层膜结构的声表面波器件同时具备以下优点，即金刚石的高硬度、高声速，a-AlN的高声速能有效缓解金刚石与c-BN因声速差距大带来的声速频散效应以及c-BN的高机电耦合系数，可用于制备高频、高声速、大功率、高机电耦合系数的SAW器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 表面波 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层膜结构的声表面波器件，其特征在于：由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a‑AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c‑BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石‑复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20‑25um，a‑AlN薄膜厚度为300‑500nm，c‑BN薄膜的厚度为300‑500nm，IDT为厚度100nm的Al膜且粗糙度小于5nm。
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