[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310022495.3 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943621B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;曹博昭;梁家瑞;吴家荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，其浅沟槽隔离结构包含一上绝缘部与一下绝缘部，该下绝缘部包含一第一绝缘体以及位于该第一绝缘体周围的一绝缘层，该上绝缘部包含一第二绝缘体以及位于该第二绝缘体周围的一缓冲层，部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间，且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，包含：上绝缘部与下绝缘部，位于一基底的一沟槽中，其中该下绝缘部包含第一绝缘体以及位于该第一绝缘体的周壁及底面的一绝缘层，该第一绝缘体的顶面与该绝缘层的顶面为共平面，该上绝缘部包含第二绝缘体以及位于该第二绝缘体的周壁及底面的一缓冲层，部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间，且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平，其中该基底上包含掩模层，该缓冲层的外周壁低于周围的该掩模层的顶面且高于该掩模层的底面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
