[发明专利]化合物半导体及其制备方法以及使用该化合物半导体的热电转换器件有效
| 申请号： | 201310021769.7 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103130199A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朴哲凞;孙世姬;权元锺;金兑训;洪承泰 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L35/16;H01L35/22 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;师杨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制备 方法 以及 使用 热电 转换 器件 | ||
【主权项】：
具有天然超晶格结构的化合物半导体材料BiCuOTe，其中Cu2Te2层和Bi2O2层沿着c‑晶轴交替排列，其中，BiCuOTe中的Bi被Ln和M中的任一种部分地取代，其中，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素。
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