[发明专利]基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310020439.6 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103094478A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张汇;王炜华;纪永飞;王兵;侯建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件，其包括：源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层，其中：单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间，所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直，所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触；所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定，与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关，且该分子器件体积小，性能高，可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 分子 复合 体系 微分 电阻 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅‑分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，其特征在于，该单分子负微分电阻效应器件包括：源极(1)、漏极(2)、栅极(3)、钴酞菁分子(4)和隧穿层(5)，其中：单个钴酞菁分子(4)位于所述源极(1)和所述漏极(2)之间，所述钴酞菁分子(4)的平面与所述源极(1)和所述漏极(2)的连线垂直，所述钴酞菁分子(4)中的钴离子与所述源极(1)接触；所述漏极(2)与所述钴酞菁分子(4)之间设有隧穿层(5)。
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