[发明专利]基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201310020439.6 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103094478A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 张汇;王炜华;纪永飞;王兵;侯建国 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L47/00 分类号: H01L47/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件,是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件,其包括:源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层,其中:单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间,所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直,所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触;所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定,与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关,且该分子器件体积小,性能高,可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。
搜索关键词: 基于 分子 复合 体系 微分 电阻 器件 制备 方法
【主权项】:
一种基于硅‑分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件,其特征在于,该单分子负微分电阻效应器件包括:源极(1)、漏极(2)、栅极(3)、钴酞菁分子(4)和隧穿层(5),其中:单个钴酞菁分子(4)位于所述源极(1)和所述漏极(2)之间,所述钴酞菁分子(4)的平面与所述源极(1)和所述漏极(2)的连线垂直,所述钴酞菁分子(4)中的钴离子与所述源极(1)接触;所述漏极(2)与所述钴酞菁分子(4)之间设有隧穿层(5)。
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