[发明专利]用于制造半导体元件的方法及场效应半导体元件

摘要

本发明公开了一种用于制造半导体元件的方法及场效应半导体元件。该方法包括提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且由延伸至第一表面的第一半导体材料构成。至少一个沟槽从第一表面延伸到半导体本体中，并且包括与半导体本体绝缘且布置在第一表面下方的栅极电极。该方法还包括：在第一表面上形成具有凹槽的第二绝缘层，该凹槽在投影到第一表面上时与导电区域重叠，在凹槽中形成掩模区域，将第二绝缘层选择性地蚀刻至掩模区域和半导体本体，以使半导体本体在第一表面处露出；在第一表面上沉积第三绝缘层；以及将第三绝缘层蚀刻成使得半导体本体的邻近至少一个沟槽设置的半导体台面在第一表面处露出。

主权项

一种用于制造半导体元件的方法，包括：提供包括半导体本体的半导体器件，所述半导体本体包括延伸至第一表面的第一半导体材料以及从所述第一表面延伸的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽包括与所述半导体本体绝缘且布置在所述第一表面下方的导电区域；在所述第一表面上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层包括凹槽，所述凹槽在投影到所述第一表面上时与所述导电区域重叠；在所述凹槽中形成掩模区域；将所述第二绝缘层选择性地蚀刻至所述掩模区域和所述半导体本体，以使所述半导体本体在所述第一表面处露出；在所述第一表面上沉积第三绝缘层；以及将所述第三绝缘层蚀刻成使得所述半导体本体的邻近所述至少一个沟槽布置的半导体台面在所述第一表面处露出。