[发明专利]一种影像传感器的制造方法有效
申请号: | 201310011790.9 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103077952A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 李平 | 申请(专利权)人: | 陆伟 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 200124 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种影像传感器的制造方法,包括器件晶圆平整度研磨,器件晶圆的键合,器件晶圆背面减薄,器件晶圆背面表面研磨,淀积,彩色滤光片和微透镜的安装,所述器件晶圆背面表面处理采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理,所述射频发生器的射频功率低于200瓦特。在背照式影像传感器的制造过程中,利用射频发生器发出的射频对去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理,减小了器件晶圆背面表面缺陷,提升了器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 影像 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种影像传感器的制造方法,包括器件晶圆平整度研磨,器件晶圆的键合,器件晶圆背面减薄,器件晶圆背面表面研磨,器件晶圆表面高介质层淀积,彩色滤光片和微透镜的安装,其特征在于:所述器件晶圆背面表面研磨采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理,所述射频功率低于200瓦特。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的