[发明专利]一种具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列及对其手性结构进行表征的方法有效
| 申请号： | 201310011526.5 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103086353A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张锦;陈亚彬;胡悦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以石墨为基底且具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列及对其手性结构表征的方法。其制备方法如下：1)制备表面具有规则刻痕的石墨基底；2)将具有生长单壁碳纳米管催化剂的基底与石墨基底一并紧邻置于化学气相沉积系统中，利用气流定向法在石墨基底上生长单壁碳纳米管，得到具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列。利用石墨基底表面单壁碳纳米管的手性选择性取向结论，结合石墨表面的规则性刻痕，可对单壁碳纳米管的手性角及旋光性进行测量，进一步对已知手性结构的单壁碳纳米管进行性能测试和/或器件加工。本发明提供的测量方法，首次同时对碳纳米管的手性角和旋光性进行了测量；可以对样品表面的碳纳米管进行批量宏观测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 手性 选择性 取向 单壁碳 纳米 阵列 结构 进行 表征 方法 | ||
【主权项】：
一种以石墨为基底且具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列的制备方法，包括下述步骤：1)制备表面具有规则刻痕的石墨基底；2)将具有用于生长单壁碳纳米管的催化剂的基底与步骤1)中表面具有规则刻痕的石墨基底一并紧邻置于化学气相沉积系统中，利用气流定向法在所述石墨基底上生长单壁碳纳米管，得到石墨基底表面具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列。
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