[发明专利]MOS晶体管及其形成方法

摘要

一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管包括：绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括底层硅层、位于底层硅层上的绝缘层和位于绝缘层上的顶层硅层；位于所述顶层硅层上的栅极结构；位于所述栅极结构的两侧的侧壁上的偏移侧墙；位于栅极结构和偏移侧墙两侧的顶层硅层内的浅掺杂区；位于浅掺杂区中的第一金属硅化物区，第一金属硅化物区面积大小与浅掺杂区的面积大小相适应；位于栅极结构的偏移侧墙表面的主侧墙；位于栅极结构和主侧墙两侧的顶层硅层内的深掺杂区；位于深掺杂区中的第二金属硅化物区，第二金属硅化物区的面积大小与深掺杂区的面积大小相适应。MOS晶体管具有较小的源漏寄生电阻。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括底层硅层、位于底层硅层上的绝缘层和位于绝缘层上的顶层硅层；在所述顶层硅层上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极；在所述栅极结构的两侧的侧壁上形成偏移侧墙；以所述偏移侧墙和栅极结构为掩膜，进行浅掺杂离子注入，在栅极结构和偏移侧墙两侧的顶层硅层内形成浅掺杂区；进行第一金属硅化工艺，在浅掺杂区中对应形成第一金属硅化物区；在栅极结构的偏移侧墙表面形成主侧墙；以所述栅极结构和主侧墙为掩膜，进行源漏离子注入，在栅极结构和主侧墙两侧的顶层硅层内形成深掺杂区，深掺杂区和浅掺杂区构成MOS晶体管的源漏区；进行第二金属硅化工艺，在深掺杂区中对应形成第二金属硅化物区。