[发明专利]一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法无效
| 申请号： | 201310009459.3 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103076098A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓川;张欣翼;许丽娜 | 申请（专利权）人： | 四川汇源科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法，属于电子元器件技术领域。包括下述步骤：在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极，作为所述探测器的公共电极和红外吸收层；在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极，作为所述探测器的衬底；将一个输入电极接地，并对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下，不会影响器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 bst 热释电 红外探测器 击穿 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法，其特征在于，包括下述步骤：在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极，作为所述探测器的公共电极和红外吸收层；在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极，作为所述探测器的衬底；将一个输入电极接地，并对另一个输入电极施加方波偏压。
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