[发明专利]太阳电池芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310007362.9 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103077977A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;林志东;蔡文必;林桂江;吴志敏;宋明辉;安晖 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高倍聚光太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。本发明采用透明导电层大面积的与电池外延片表面形成欧姆接触，大大降低了电极与电池外延片的接触电阻；采用网格状金属纳米电极嵌入透明导电层，大大提高了透明导电层的导电能力，解决了高倍聚光条件下，透明导电层导电能力不足的问题；由于提高了透明导电层的电导率，所述的栅状电极可设计更宽的距离，提高了太阳光利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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