[发明专利]一种多孔纳米压印模板及其制备方法无效
申请号: | 201310007309.9 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN103091980A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 孙堂友;徐智谋;张铮;赵文宁;武兴会;刘思思;马智超;张学明;王双保 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;C25D11/04;C25D11/12;C23F1/02;C23F1/12 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李佑宏 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法,包括:制备表面镀有铝膜的衬底;对衬底进行阳极氧化和扩孔,氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长;对样片进行ICP刻蚀,再去除掩膜材料后即得纳米压印模板;ICP刻蚀分为三步完成:(1)无掩膜的多孔氧化层刻蚀,用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层,(2)以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀,以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底,(3)以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀,以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面,同时配合选择性的干法刻蚀工艺,从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 纳米 压印 模板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种孔洞纳米压印模板的制备方法,包括:制备表面镀有一定厚度铝膜的衬底;对所述镀有铝膜的衬底进行阳极氧化并作扩孔处理,氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需的时长;对所述氧化扩孔后的样片进行ICP刻蚀,在去除衬底表面的掩膜材料后即得所需纳米压印模板;其特征在于,所述ICP刻蚀按先后顺序分为三步完成:(1)无掩膜的多孔氧化层刻蚀,用于去除纳米孔洞底部的阻挡层,(2)以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀,以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底,露出衬底,(3)以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀,以精确的将纳米孔洞结构转移至衬底上。
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