[发明专利]化学机械研磨方法与自我对准方法有效

专利信息
申请号: 201310007227.4 申请日: 2013-01-09
公开(公告)号: CN103909464B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 陈义中;彭徵安 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 于宝庆,刘春生
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种化学机械研磨方法与自我对准方法。首先,提供具有图形的基底。然后,于基底上形成碳层,且此碳层覆盖上述的图形。接着,进行化学机械研磨步骤,移除部分碳层,直到暴露出图形的顶面,其中化学机械研磨步骤中使用的研浆中含有氧化剂,所述氧化剂用以氧化碳层,且在化学机械研磨步骤中,经氧化的碳层被移除。之后,以碳层为掩模,移除部分暴露出的图形。
搜索关键词: 化学 机械 研磨 方法 自我 对准
【主权项】:
一种化学机械研磨方法,包括:提供具有图形的基底,其中所述图形为所述基底的一部分;于所述基底上形成碳层,且所述碳层覆盖所述图形;进行化学机械研磨步骤,移除部分所述碳层,直到暴露出所述图形的顶面,其中所述化学机械研磨步骤中使用的研浆中含有氧化剂,所述氧化剂用以氧化所述碳层,且在所述化学机械研磨步骤中,经氧化的所述碳层被移除;进行蚀刻步骤,以所述碳层为掩模,移除部分暴露出的所述图形;以及移除所述碳层,以暴露出所述图形。
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