[发明专利]化学机械研磨方法与自我对准方法有效
申请号: | 201310007227.4 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN103909464B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 陈义中;彭徵安 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 于宝庆,刘春生 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种化学机械研磨方法与自我对准方法。首先,提供具有图形的基底。然后,于基底上形成碳层,且此碳层覆盖上述的图形。接着,进行化学机械研磨步骤,移除部分碳层,直到暴露出图形的顶面,其中化学机械研磨步骤中使用的研浆中含有氧化剂,所述氧化剂用以氧化碳层,且在化学机械研磨步骤中,经氧化的碳层被移除。之后,以碳层为掩模,移除部分暴露出的图形。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 自我 对准 | ||
【主权项】:
一种化学机械研磨方法,包括:提供具有图形的基底,其中所述图形为所述基底的一部分;于所述基底上形成碳层,且所述碳层覆盖所述图形;进行化学机械研磨步骤,移除部分所述碳层,直到暴露出所述图形的顶面,其中所述化学机械研磨步骤中使用的研浆中含有氧化剂,所述氧化剂用以氧化所述碳层,且在所述化学机械研磨步骤中,经氧化的所述碳层被移除;进行蚀刻步骤,以所述碳层为掩模,移除部分暴露出的所述图形;以及移除所述碳层,以暴露出所述图形。
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