[发明专利]半导体器件及电源器件无效
| 申请号： | 201310006517.7 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103219374A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮;广濑达哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L25/065;H01L23/495;H02M3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及电源器件。所述半导体器件包括：由引线和管芯台组成的引线框；GaN-HEMT，该GaN-HEMT设置在管芯台上并且具有在GaN-HEMT的后表面上的源电极，所述源电极连接至管芯台；以及MOS-FET，该MOS-FET设置在管芯台上并且具有在MOS-FET的后表面上的漏电极，所述漏电极连接至管芯台；其中GaN-HEMT的源电极与MOS-FET的漏电极经由管芯台而彼此共源共栅连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电源 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：由引线和管芯台构成的引线框；GaN‑HEMT，所述GaN‑HEMT设置在所述管芯台上并且具有在所述GaN‑HEMT的后表面上的源电极，所述源电极连接至所述管芯台；以及MOS‑FET，所述MOS‑FET设置在所述管芯台上并且具有在所述MOS‑FET的后表面上的漏电极，所述漏电极连接至所述管芯台；其中，所述GaN‑HEMT的源电极与所述MOS‑FET的漏电极经由所述管芯台而彼此共源共栅连接。
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