[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310006471.9 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915343A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;三重野文健;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部的部分侧壁和顶部表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成贯穿所述鳍部的开口，所述开口的侧壁垂直于所述鳍部的顶部表面，所述开口位于鳍部顶部表面的图形边界向所述栅极结构的方向凹陷，且所述开口位于鳍部顶部表面的图形与栅极结构相邻的边界与鳍部侧壁构成“Σ”形，且所述“Σ”形的顶角向所述栅极结构的方向延伸；在所述开口内形成应力层，所述应力层的表面等于或高于所述鳍部的顶部表面。所形成的晶体管的性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部的部分侧壁和顶部表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成贯穿所述鳍部的开口，所述开口的侧壁垂直于所述鳍部的顶部表面，所述开口位于鳍部顶部表面的图形边界向所述栅极结构的方向凹陷，所述开口位于鳍部顶部表面的图形与栅极结构相邻的边界与鳍部侧壁构成“Σ”形，且所述“Σ”形的顶角向所述栅极结构的方向延伸；在所述开口内形成应力层，所述应力层的表面等于或高于所述鳍部的顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
