[发明专利]CMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种CMOS晶体管及其形成方法，所述CMOS晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅极，位于所述伪栅极两侧的半导体衬底内的源区和漏区，覆盖所述侧墙以及所述源区和漏区的第一介质层；去除所述NMOS区域和PMOS区域内的伪栅极，形成第一开口；在所述第一开口内形成功函数层和金属栅极；去除部分所述功函数层和金属栅极，形成第二开口；在所述第二开口内形成盖帽金属层；在所述盖帽金属层上形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面齐平。本发明的CMOS晶体管的形成方法可以防止栅极结构与源区和漏区上的插塞之间产生漏电流。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和PMOS区域内具有伪栅极，位于所述伪栅极两侧的侧墙，位于所述伪栅极两侧的半导体衬底内的源区和漏区，覆盖所述侧墙以及所述源区和漏区的第一介质层，所述第一介质层的表面与所述伪栅极表面齐平；去除所述NMOS区域和PMOS区域内的伪栅极，形成第一开口；在所述第一开口内形成功函数层和位于所述功函数层上的金属栅极；去除部分所述金属栅极和部分所述功函数层，形成第二开口；在所述第二开口内形成盖帽金属层；在所述盖帽金属层上形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面齐平；所述在第一开口内形成功函数层和位于所述功函数层上的金属栅极的工艺包括：在所述第一开口内形成通用功函数层和位于所述通用功函数层上的PMOS功函数层；去除所述NMOS区域的PMOS功函数层，去除所述PMOS区域的部分PMOS功函数层和部分通用功函数层；在所述PMOS区域和NMOS区域形成NMOS功函数层；在所述NMOS功函数层上形成金属栅极。