[发明专利]CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，CMOS晶体管的形成方法，包括：沿栅线方向，在半导体衬底中形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成磁性材料层，所述磁性材料层与沟道区具有相对的部分；形成位于所述半导体衬底上的栅介质层、栅极、源极和漏极；对磁性材料层进行磁化处理；经磁化处理的磁性材料层具有N极和S极，栅线方向上相邻的两个磁性材料层在沟道区中产生磁场，设定垂直于半导体衬底表面且平行于栅长方向的晶体管剖面为纸面：当CMOS晶体管为N型晶体管，磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸内，当CMOS晶体管为P型晶体管时，磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸外。本发明的技术方案提高了晶体管的性能。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沿栅线方向，在所述半导体衬底中形成隔离沟槽，相邻隔离沟槽之间为有源区；在所述隔离沟槽中形成磁性材料层，所述磁性材料层与沟道区具有相对的部分；在形成所述磁性材料层后，在所述有源区上形成位于所述半导体衬底上的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅极，及位于栅极两侧半导体衬底中的源极和漏极；形成栅极、源极和漏极后，对所述磁性材料层进行磁化处理，或者，在形成所述磁性材料层后，形成栅极、源极和漏极之前，对所述磁性材料层进行磁化处理；其中，经磁化处理的磁性材料层具有N极和S极，栅线方向上相邻的两个磁性材料层在所述栅极下的沟道区中产生磁场，设定垂直于半导体衬底表面且平行于栅长方向的晶体管剖面为纸面：当CMOS晶体管为N型晶体管，所述磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸内，当CMOS晶体管为P型晶体管时，所述磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸外。