[发明专利]一种抗冲击的高强镁合金材料及制备方法无效
申请号: | 201310006127.X | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103014469A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 冷哲;张景怀;尹婷婷;张密林;巫瑞智;郭旭英;张丽;孙俭锋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C22C23/06 | 分类号: | C22C23/06;C22C1/03 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供的是一种抗冲击的高强镁合金材料及制备方法。以纯Mg、纯Zn、Mg-RY中间合金、Mg-Gd中间合金为原料,将合金元素熔化后进行熔炼、扒渣,保温静置后降温,利用水冷模具进行冷却,所得镁合金铸经过高温匀质化处理后,在挤压机上热挤压成形得到组成成分及其质量百分含量为:RY:7.0-11.0%,Gd:1.0-2.5%,Zn:2.0-3.0%,不可避免的杂质总量小于0.03%,余量为Mg的抗冲击的高强镁合金材料。本发明利用特定合金化元素及其配比在镁合金中形成特殊强化相,通过第二相强化和细晶强化的共同作用,制备出强度高、抗冲击性能优良的镁合金材料,从而推动镁合金产业发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 冲击 高强 镁合金 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗冲击的高强镁合金材料,其特征是组成成分及其质量百分含量为:RY:7.0‑11.0%,Gd:1.0‑2.5%,Zn:2.0‑3.0%,不可避免的Fe、Cu、Ni、Si杂质总量小于0.03%,余量为Mg。
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