[发明专利]来自场发射源的发射参数的确定有效
申请号: | 201310005725.5 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103198990B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | L.W.斯万森;G.A.施温德;S.克罗格;刘坤 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01J9/44 | 分类号: | H01J9/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 殷瑞剑,李浩 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性,在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状,并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性,而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。 | ||
搜索关键词: | 来自 发射 参数 确定 | ||
【主权项】:
一种确定场电子源的发射特性的方法,包括:使用不同的引出电压连续地从所述场电子源引出电子;在多个引出电压下测量电子电流以确定角度强度I’与引出电压之间的关系;根据所述关系和射束几何结构来确定功函数以及与在发射表面处施加的电场与引出电压的比值相对应的场形因数β;根据所述角度强度和射束几何结构来确定发射电流密度J,J是在发射体表面位置处定义的;根据场形因数、引出电压、功函数以及源温度来确定本征发射能量散度;根据射束几何结构、源温度以及引出电压来确定本征虚拟源尺寸dv(int);根据本征发射能量散度和角度强度来确定已校正的发射能量散度;根据发射电流密度来确定已校正的虚拟源尺寸dv;以及根据角度强度、已校正的虚拟源尺寸以及引出电压来确定射束亮度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于FEI公司,未经FEI公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310005725.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型重力阀液体测试台
- 下一篇:用于燃气涡轮机的喷嘴及密封件承载部