[发明专利]具有P型超晶格的LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310003827.3 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103050592A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有P型超晶格的LED外延结构及其制备方法。该外延结构包括衬底，衬底上由下至上依次设置有GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、第一P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、第二P型GaN层，P型AlGaN电子阻挡层与第二P型GaN层之间设置有由PInGaN势阱层及PAlGaN势垒层周期性交互重叠构成的P型超晶格。P型超晶格中的PInGaN势阱层将产生和束缚大量空穴，形成二维空穴高密态；PAlGaN势垒层将阻碍空穴的逃逸，提高空穴的横向扩展，可以阻挡电子外溢，增加空穴注入效率，提高电子和空穴复合概率，能提高芯片的亮度5～10%。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有P型超晶格的LED外延结构，包括衬底，所述衬底上由下至上依次设置有GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、第一P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、第二P型GaN层，其特征在于，所述P型AlGaN电子阻挡层与所述第二P型GaN层之间设置有由PInGaN势阱层及PAlGaN势垒层周期性交互重叠构成的P型超晶格。
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