[发明专利]一种背面点接触太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201310002244.9 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103022262A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 夏正月;高艳涛;宫昌萌;何恬;孙珠珠;宋文涛;陈同银;刘仁中;李晓强;董经兵;孟津;陶龙忠;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种背面点接触太阳能电池的制备方法，包括步骤：（1）硅片去损伤并制绒；（2）扩散；（3）背面磷硅玻璃（PSG）去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；（4）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（5）正面减反射薄膜生长；（6）背面开孔；（7）丝网印刷背银，背铝，正银；（8）烧结，测试。本发明通过改进太阳能电池的制备方法，有效降低生产成本，适于批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 点接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括步骤（a）硅片（4）去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗；（d）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（e）正面减反射薄膜生长；（f）背面开孔；（g）丝网印刷背铝，正银；（h）烧结，测试；步骤（c）所述的背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光，正面PSG去除及清洗的方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源（太仓）有限公司，未经奥特斯维能源（太仓）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310002244.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
