[发明专利]一种半导体单元的分离方法无效
| 申请号： | 201310002163.9 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103066018A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 单立伟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体单元的分离方法，先于半导体衬底表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；然后将所述半导体原件粘附于一贴膜；接着依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以形成由多个切割孔组成的切割阵列；然后通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透部分所述半导体衬底的裂痕；最后依据各该半导体单元进行裂片，然后进行扩膜，获得相互分离的半导体单元。本发明通过声波、震动或其组合的方法使隐形切割的切割痕延长，降低裂片后晶粒的相连的几率，从而提高裂片良率；方法过程简单，降低了裂片的难度，有效缩短生产的时间，可以延长激光和劈裂刀的寿命，并且有效地提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 单元 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体单元的分离方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2）将所述半导体原件粘附于一贴膜；3）依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；4）通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透部分所述半导体衬底的裂痕；5）依据各该半导体单元进行裂片，然后进行扩膜，获得相互分离的半导体单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
