[发明专利]一种高精度无污染的半导体晶片解理方法无效
| 申请号： | 201310001647.1 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103060920A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 金灿;陈晓莉 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/08 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张若华 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度无污染的半导体晶片解理方法，包括以下步骤：在半导体晶片的表面旋涂光刻胶，制成掩护薄膜；采用光刻机光刻的方法，在掩护薄膜上制作出条状贯通的腐蚀区域；采用腐蚀液在腐蚀区域进行化学腐蚀，形成V型解理线槽；从腐蚀液中取出半导体晶片，去掉半导体晶片表面的掩护薄膜；将半导体晶片沿V型解理线槽切分，完成半导体晶片解理。本发明由于采取光刻并腐蚀的方式制作V型解理线槽，可以确保V型解理线槽的位置精度在1μm以内，保证了解理出的半导体晶片大小精度在1μm以内。并由于采用化学腐蚀的方法制作V型解理线槽，不会产生任何衬底材料碎屑。保证解理出的半导体晶片表面洁净，提高了芯片质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 无污染 半导体 晶片 解理 方法 | ||
【主权项】：
一种高精度无污染的半导体晶片解理方法，其特征在于：包括以下几个步骤：A：在半导体晶片的表面旋涂光刻胶，制成掩护薄膜；B：采用光刻机光刻的方法，在掩护薄膜上制作出条状贯通的腐蚀区域； C：采用腐蚀液在腐蚀区域进行化学腐蚀，形成V型解理线槽； D：从腐蚀液中取出半导体晶片，去掉半导体晶片表面的掩护薄膜；F：将半导体晶片沿V型解理线槽分离，完成半导体晶片解理。
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