[发明专利]用于在眼科装置上形成电互连器的方法和设备有效
| 申请号： | 201310001134.0 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103258781B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | R.B.皮尤;D.B.奥茨;P.潘多吉劳-斯;A.托纳;J.D.里亚尔;E.R.克尔尼克;S.R.比顿;F.A.弗利特施 | 申请（专利权）人： | 庄臣及庄臣视力保护公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 金飞,傅永霄 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于在包括结合一个或多个电元件的眼科装置的三维基底表面上形成互连器的方法和设备，所述方法和设备可用来提供高品质电连接和机械连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 眼科 装置 形成 互连 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在三维表面上形成电互连器的方法，包括：由第一绝缘材料形成单个三维基础基底，用于插入眼科镜片中用于眼睛中或眼睛上，所述三维基础基底包括中心区域和周边区域，所述三维基底三维地弯曲，从而形成大致穹顶状结构，其从边缘到中心上升高度高达4毫米并且包括局部凸起结构，并且在所述穹顶状结构内包括脊，其带有斜度为2‑90度的侧壁并且高度为0.001至0.5mm，所述单个三维基础基底的直径介于6mm和16mm之间；在所述周边区域中将导电膜沉积在所述三维基础基底的表面的至少一部分上；通过激光烧蚀周围的导电膜材料由所述导电膜形成电互连器线；以及将具有电互连器的三维基底结合到眼科镜片或用于眼科镜片的嵌入物中的至少一个内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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