[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201280077812.5 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN104871307A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 内田慎一;长濑宽和;船矢琢央 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 权太白;谢丽娜 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间,在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈,在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈,它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时,在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具有:半导体基板;以及隔着绝缘层形成在所述半导体基板上的第1线圈、第2线圈、第3线圈、第4线圈、第1焊盘、第2焊盘以及第3焊盘,其中,所述第1线圈和所述第3线圈串联地电连接在所述第1焊盘与所述第2焊盘之间,在所述第1线圈与所述第3线圈之间电连接有所述第3焊盘,所述第2线圈和所述第4线圈串联地电连接,所述第1线圈配置在所述第2线圈的上方,所述第3线圈配置在所述第4线圈的上方,所述第1线圈与所述第2线圈不通过导体连接而磁耦合,所述第3线圈与所述第4线圈不通过导体连接而磁耦合,当在串联连接的所述第2线圈和所述第4线圈中流过电流时,在所述第1线圈和所述第3线圈中流过的感应电流的方向在所述第1线圈和所述第3线圈中为相反方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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