[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开一种半导体装置，其为IGBT区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备集电层、IGBT漂移层、体层、栅电极、发射层。二极管区域具备阴极层、二极管漂移层、阳极层、沟槽电极、阳极接触层。二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域。在与IGBT区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。

主权项

一种半导体装置，其为绝缘栅双极型晶体管区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其中，在半导体基板的表面上设置有表面电极，在半导体基板的背面上设置有背面电极，绝缘栅双极型晶体管区域具备：第一导电型的集电层，其与背面电极相接；第二导电型的绝缘栅双极型晶体管漂移层，其相对于集电层而被设置于半导体基板的表面侧；第一导电型的体层，其相对于绝缘栅双极型晶体管漂移层而被设置于半导体基板的表面侧，并且与表面电极相接；栅电极，其被配置于从半导体基板的表面起到达至绝缘栅双极型晶体管漂移层的沟槽的内部，并且通过绝缘膜而与半导体基板和表面电极绝缘；第二导电型的发射层，其局部地设置在体层与表面电极之间，并且与栅电极的绝缘膜和表面电极相接，二极管区域具备：较高的第二导电型的阴极层，其与背面电极相接；第二导电型的二极管漂移层，其相对于阴极层而被设置于半导体基板的表面侧，并且杂质浓度与阴极层相比较低；第一导电型的阳极层，其相对于二极管漂移层而被设置于半导体基板的表面侧，并且与表面电极相接；沟槽电极，其被配置于从半导体基板的表面起到达至二极管漂移层的沟槽的内部，并且通过绝缘膜而与半导体基板绝缘；第一导电型的阳极接触层，其局部地设置在阳极层与表面电极之间，并与表面电极相接，且杂质浓度与阳极层相比较高，二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域，在与绝缘栅双极型晶体管区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。